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STGW10M65DF2 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGW10M65DF2參考圖片

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原廠料號(hào)：STGW10M65DF2品牌：ST/意法半導(dǎo)體

本公司只售原裝 支持實(shí)單

STGW10M65DF2是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法半導(dǎo)體/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGW10M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    STGW10M65DF2

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    16 頁(yè)

  • 文件大小：

    928.21 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGW10M65DF2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    M

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    120μJ（開(kāi)），270μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    19ns/91ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，10A，22 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市吉銘電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    廖小姐

  • 手機(jī)：

    13310877445

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13310877445

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國(guó)中心1303

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