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STGP15H60DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGP15H60DF |
| 參數(shù)屬性 | STGP15H60DF 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 30A 115W TO220 |
| 功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | TO-220 / TO-220-3 |
| 文件大小 |
1.86596 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
23 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-30 15:38:00 |
STGP15H60DF規(guī)格書詳情
STGP15H60DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGP15H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
Description
This device is an IGBT developed using an
advanced proprietary trench gate and field stop
structure. This IGBT series offers the optimum
compromise between conduction and switching
losses, maximizing the efficiency of very high
frequency converters. Furthermore, a positive
VCE(sat) temperature coefficient and very tight
parameter distribution result in easier paralleling
operation.
Features
? High speed switching
? Tight parameters distribution
? Safe paralleling
? Low thermal resistance
? Short-circuit rated
? Ultrafast soft recovery antiparallel diode
Applications
? Motor control
? UPS, PFC
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGP15H60DF
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，15A
- 開關(guān)能量：
136μJ（開），207μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
24.5ns/118ns
- 測試條件：
400V，15A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220
- 描述：
IGBT 600V 30A 115W TO220
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
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