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STGP10NC60KD

10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

Description ThesedevicesareveryfastIGBTsdeveloped usingadvancedPowerMESH?technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features ?Lowe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STGP10NC60KD

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT

Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswit

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STGP10NC60KD

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STGP10NC60KD

10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STGP10NC60KD

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 20A 65W TO220

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STGP10NC60S

10A,600VfastIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STH10NC60

N-CHANNEL600V-0.6ohm-10A-TO-247/ISOWATT218PowerMesh??IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STH10NC60FI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STH10NC60FI

N-CHANNEL600V-0.6ohm-10A-TO-247/ISOWATT218PowerMesh??IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STW10NC60

N-CHANNEL600V-0.6ohm-10A-TO-247/ISOWATT218PowerMesh??IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體（ST）集團

STW10NC60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

TSM10NC60CF

Advancedplanarprocess

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

產品屬性

  • 產品編號：

    STGP10NC60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，5A

  • 開關能量：

    55μJ（開），85μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    17ns/72ns

  • 測試條件：

    390V，5A，10歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 65W TO220

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST(意法半導體)
23+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
 詢價
STMicroelectronics
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導體產品-原裝正品
 詢價
ST/意法半導體
22+
TO-220-3
6000
原裝正品現貨 可開增值稅發(fā)票
 詢價
ST/意法
22+
TO-220
20000
原裝正品
 詢價
STM
23+
TO-220
950
原裝現貨支持送檢
 詢價
ST/意法
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
ST
22+
TO-220
3000
十七年VIP會員,誠信經營，一手貨源，原裝正品可零售！
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ST
21+
TO-220
30000
全新、原裝
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ST
新批次
TO-220
3000
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ST
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現貨價秒殺全網
 詢價
更多STGP10NC60KD供應商 更新時間2024-10-22 17:10:00

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