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STGP10NC60KD

Marking：GP10NC60KD；Package：TO-220；10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

Description ThesedevicesareveryfastIGBTsdeveloped usingadvancedPowerMESH?technology.This processguaranteesanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior.Thesedevicesarewell-suitedfor resonantorsoft-switchingapplications. Features ?Lowe

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP10NC60KD

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH IGBT

Description Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperformances.Thesuffix“K”identifiesafamilyoptimizedforhighfrequencymotorcontrolapplicationswit

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP10NC60KD

N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / TO-220FP Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP10NC60KD

10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP10NC60KD

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 20A 65W TO220

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGP10NC60S

10A,600VfastIGBT

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STH10NC60

N-CHANNEL600V-0.6ohm-10A-TO-247/ISOWATT218PowerMesh??IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STH10NC60FI

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STH10NC60FI

N-CHANNEL600V-0.6ohm-10A-TO-247/ISOWATT218PowerMesh??IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STW10NC60

N-CHANNEL600V-0.6ohm-10A-TO-247/ISOWATT218PowerMesh??IMOSFET

DESCRIPTION ThePowerMESH?IIistheevolutionofthefirstgenerationofMESHOVERLAY?.ThelayoutrefinementsintroducedgreatlyimprovetheRon*areafigureofmeritwhilekeepingthedeviceattheleadingedgeforwhatconcernsswithingspeed,gatechargeandruggedness. ■TYPICALRDS(on)=0.

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGP10NC60KD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.5V @ 15V，5A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    55μJ（開(kāi)），85μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/72ns

  • 測(cè)試條件：

    390V，5A，10歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 65W TO220

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-220
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價(jià)
STMicroelectronics
24+
TO-220-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-220-3
6000
原裝正品現(xiàn)貨 可開(kāi)增值稅發(fā)票
 詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-220
20000
原裝正品
 詢價(jià)
STM
23+
TO-220
950
原裝現(xiàn)貨支持送檢
 詢價(jià)
ST/意法
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
ST
22+
TO-220
3000
十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，一手貨源，原裝正品可零售！
 詢價(jià)
ST
21+
TO-220
30000
全新、原裝
 詢價(jià)
ST
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
ST(意法)
2450
TO-220-3
99996
ST原廠原裝正品一手貨源可全線定貨
 詢價(jià)
更多STGP10NC60KD供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 8:11:00

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