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STGP10NB60SD_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠料號：STGP10NB60SD品牌：STMicroelectronics

資料說明：IGBT 600V 29A 80W TO220

STGP10NB60SD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-220-3的STGP10NB60SD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    stgp10nb60sd

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體（ST）集團

  • 資料說明：

    IGBT 600V 29A 80W TO220

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGP10NB60SD

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.75V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    600μJ（開），5mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    700ns/1.2μs

  • 測試條件：

    480V，10A，1 千歐，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT 600V 29A 80W TO220

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
23+
TO-220
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
ST/意法
24+
TO-220
980
原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-220-3
6008
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
 詢價
ST/意法
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
2023
TO-220-3
6000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單
 詢價
ST
23+
TO220
8820
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
ST
23+
TO-220
8795
詢價
ST
24+
TO-220-3
976
詢價
ST
2022
TO-220
3268
原廠原裝正品,價格超越代理
 詢價
ST
2018+
TO-220
25000
ST專營品牌全新原裝熱賣
 詢價

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