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STGFL6NC60D分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGFL6NC60D
廠商型號

STGFL6NC60D
參數(shù)屬性

STGFL6NC60D 封裝/外殼為TO-220-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 7A 22W TO220FP
功能描述

N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT
IGBT 600V 7A 22W TO220FP
文件大小

491.3 Kbytes
頁面數(shù)量

19 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-12-27 16:49:00

STGFL6NC60D規(guī)格書詳情

STGFL6NC60D屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGFL6NC60D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGFL6NC60D

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.9V @ 15V，3A

  • 開關能量：

    46.5μJ（開），23.5μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    6.7ns/46ns

  • 測試條件：

    390V，3A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝：

    TO-220FP

  • 描述：

    IGBT 600V 7A 22W TO220FP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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