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STGDL6NC60D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
STGDL6NC60D |
| 參數(shù)屬性 | STGDL6NC60D 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 13A 50W DPAK |
| 功能描述 | N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT |
| 文件大小 |
491.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
19 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-27 17:19:00 |
STGDL6NC60D規(guī)格書詳情
STGDL6NC60D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGDL6NC60D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGDL6NC60DT4
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
PowerMESH?
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，3A
- 開關(guān)能量：
46.5μJ（開），23.5μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
6.7ns/46ns
- 測試條件：
390V，3A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 600V 13A 50W DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
TO252DPAK |
93480 |
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詢價 | |||
ST |
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TO252DPAK |
25000 |
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ST |
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ST全系列 |
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DPAK |
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STMicro. |
23+ |
D2PAK |
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ST |
24+ |
TO252DPAK |
8866 |
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DPAK |
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ST/意法 |
22+ |
SOT-252 |
20000 |
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詢價 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
DPAK |
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ST |
23+ |
DPak |
8000 |
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詢價 |
