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STGB20NB37LZT4_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-意法半導(dǎo)體

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原廠(chǎng)料號(hào)：STGB20NB37LZT4品牌：STMicroelectronics

資料說(shuō)明：IGBT 425V 40A 200W D2PAK

STGB20NB37LZT4是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB的STGB20NB37LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    stgb20nb37lzt4

  • 規(guī)格書(shū)：

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠(chǎng)商全稱(chēng)：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱(chēng)：

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 425V 40A 200W D2PAK

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGB20NB37LZT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 4.5V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    11.8mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    2.3μs/2μs

  • 測(cè)試條件：

    250V，20A，1 千歐，4.5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    D2PAK

  • 描述：

    IGBT 425V 40A 200W D2PAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
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D2PAK
31518
原裝正品 可含稅交易
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ST/意法
24+
TO263
15333
原裝優(yōu)勢(shì)公司現(xiàn)貨!
 詢(xún)價(jià)
STMicro.
23+
DPAK
7750
全新原裝優(yōu)勢(shì)
 詢(xún)價(jià)
ST
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只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票!
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只做原裝進(jìn)口,假一罰十
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ST
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一級(jí)代理商進(jìn)口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價(jià)格合理
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原廠(chǎng)原裝正品現(xiàn)貨
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ST
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