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STGB20N45LZAG分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGB20N45LZAG
廠商型號

STGB20N45LZAG

參數(shù)屬性

STGB20N45LZAG 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:POWER TRANSISTORS

功能描述

Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ
POWER TRANSISTORS

絲印標識

GB20N45LZ

封裝外殼

D2PAK / TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

文件大小

536.15 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數(shù)據手冊

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更新時間

2025-1-20 23:00:00

STGB20N45LZAG規(guī)格書詳情

STGB20N45LZAG屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGB20N45LZAG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGB20N45LZAG

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.25V @ 4V,6A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    1.1μs/4.6μs

  • 測試條件:

    300V,10A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    D2PAK(TO-263)

  • 描述:

    POWER TRANSISTORS

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST(意法半導體)
23+
D2PAK
1612
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務
詢價
ST/意法
23+
NA/
20000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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ST/意法半導體
2021+
D2PAK-3
7600
原裝現(xiàn)貨,歡迎詢價
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ST
23+
D2PAK
12500
ST系列在售,可接長單
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ST/意法半導體
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8860
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu)
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