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STFI7N80K5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STFI7N80K5
廠商型號

STFI7N80K5

功能描述

Ultra low gate charge

文件大小

689.13 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-12 23:00:00

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STFI7N80K5規(guī)格書詳情

Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh? K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Features

? Industry’s lowest RDS(on) x area

? Industry’s best FoM (figure of merit)

? Ultra-low gate charge

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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