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STF7N80K5中文資料意法半導體數據手冊PDF規(guī)格書

STF7N80K5
廠商型號

STF7N80K5
功能描述

Ultra low gate charge
文件大小

689.13 Kbytes
頁面數量

14 頁
生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-7-11 22:30:00
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STF7N80K5規(guī)格書詳情

Description

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh? K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Features

? Industry’s lowest RDS(on) x area

? Industry’s best FoM (figure of merit)

? Ultra-low gate charge

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

產品屬性

  • 型號：

    STF7N80K5

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A SuperMESH 5

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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