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STD96N3LLH6

N溝道30 V、0.0037 Ohm典型值、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,DPAK封裝

This product is an N-channel Power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.\n\n; ? RDS(on)* Qgindustry benchmark \n? Extremely low on-resistance RDS(on) \n? High avalanche ruggedness \n? Low gate drive power losses;

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

ST

STD96N3LLH6

N-channel 30 V, 0.0037 廓, 80 A, DPAK STripFET??VI DeepGATE??Power MOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STMICROELECTRONICS

STD-MUD-2

NDK

NDKNIHON DEMPA KOGYO

金屬工業(yè)日本金屬工業(yè)株式會社公司

上傳:天津市博通航睿技術(shù)有限公司

STDP2600

ST
BGA-81

ST

STDP2600ADT

Kinetic
FBGA

KINETICKinetic Technologies.

芯凱電子芯凱電子科技(上海)有限公司

上傳:深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

KINETIC

技術(shù)參數(shù)

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Automotive

  • VDSS(V):

    30

  • RDS(on)_max(@ 4.5/5V)(Ω):

    0.007

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0042

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    80

  • PTOT_max(W):

    70

  • Qg_typ(nC):

    20

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STD96N3LLH6供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 14:14:00