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STD80N4F6中文資料杜因特數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD80N4F6
廠商型號

STD80N4F6
功能描述

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
文件大小

1.25587 Mbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產廠商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
企業(yè)簡稱

DOINGTER【杜因特】

中文名稱

深圳市杜因特半導體有限公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-8 8:24:00
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產品屬性

  • 型號：

    STD80N4F6

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
STMicroelectronics
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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50945
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9916
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