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STD20NE03L中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD20NE03L
廠商型號

STD20NE03L

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET

文件大小

105 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-26 10:35:00

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STD20NE03L規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.016 ?

■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE A 100°C

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH PERFORMANCE VRMs

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STD20NE03L

  • 功能描述:

    MOSFET REORD 511-STD30NF03L TO-252 N-CH 20A 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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