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STD19N3LLH6AG

High avalanche ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STL19N3LLH6AG

Automotive-gradeN-channel30V,23mΩtyp.,10A,STripFETTMH6PowerMOSFETinaPowerFLAT5x6package

Features ?AEC-Q101qualified ?Verylowon-resistance ?Verylowgatecharge ?Highavalancheruggedness ?Lowgatedrivepowerloss ?Logiclevel ?Wettableflankpackage Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETdevelopedusingtheSTripFET?H6 technologywithanewtrenc

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STS19N3LLH6

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

STS19N3LLH6

Highavalancheruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STD19N3LLH6AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-12 22:30:00

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