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STD155N3LH6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STD155N3LH6
廠商型號(hào)

STD155N3LH6

功能描述

N-channel 30 V, 2.4 m廓 , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET

文件大小

1.01349 Mbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-25 23:00:00

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STD155N3LH6規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the 6th generation of STripFET? DeepGATE? technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Logic level drive

Applications

■ Switching applications

■ Automotive

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STD155N3LH6

  • 功能描述:

    MOSFET Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ST/意法
24+
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ST/意法半導(dǎo)體
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-252-3
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只有原裝,原裝,假一罰十
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