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STD110N8F6

N溝道80 V、0.0056 Ohm典型值、110 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封裝

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET? F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on)in all packages.\n\n; ? Very low on-resistance \n? Very low gate charge \n? High avalanche ruggedness \n? Low gate drive power loss;

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

ST

STD110N8F6

Very low gate charge

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意法半導體意法半導體集團

STMICROELECTRONICS

STP110N8F6

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

PDF上傳者:上海世強芯半導體有限公司

STMICROELECTRONICS

STP110N8F6

Verylowon-resistance

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STP110N8F6

IscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

ISC

技術(shù)參數(shù)

  • Package:

    DPAK

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    80

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.0065

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    110

  • PTOT_max(W):

    200

  • Qg_typ(nC):

    150

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STD110N8F6供應商 更新時間2025-8-2 14:13:00