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STBV18200BY4

Gallium Nitride 50V, 200W,1.3-1.8GHz RF Power Transistor

Description TheSTBV18200BY4isa200wattDohertypaircapable,GaNHEMT,idealforfor4G/5Gcellular applicationsfrom1.3to1.8GHz.. ItcanbeconfiguredasasymmetricalDohertydelivering80Waveragepower,accordingtonormal 8dBbackoff. Thereisnoguaranteeofperformancewhenthis

INNOGRATIONInnogration Technologies, Inc.

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更多STBV18200BY4供應商 更新時間2025-3-10 18:07:00

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