STB55NE06中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STB55NE06 |
| 功能描述 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET |
| 文件大小 |
98.92 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
| 中文名稱 | 意法半導體（ST）集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-10-27 20:00:00 |
STB55NE06規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
■ TYPICAL RDS(on) = 0.019 ?
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100 AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100 °C
■ HIGH dv/dt CAPABILITY
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
■ FOR THROUGH-HOLE VERSION CONTACT SALES OFFICE
APPLICATIONS
■ DC MOTOR CONTROL
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB55NE06
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3280 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術支持、樣品免費! |
詢價 | ||
ST |
TO-263 |
93480 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
24+ |
N/A |
1520 |
詢價 | ||||
ST/意法 |
24+ |
TO-263 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO |
35400 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
ST |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
STMicro |
102 |
TO-263 |
350 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 |
