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STB22NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB22NM60N
廠商型號(hào)

STB22NM60N
功能描述

N-channel 600 V, 0.2 廓, 16 A MDmesh??II Power MOSFET
文件大小

994.47 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

23 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載
更新時(shí)間

2024-11-16 14:48:00

STB22NM60N規(guī)格書(shū)詳情

Description

These devices are made using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    STB22NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST/意法
22+
TO-263
5623
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
23+
TO-263-3
4650
絕對(duì)原裝公司現(xiàn)貨
 詢價(jià)
S
23+
DPAK
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
ST
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
ST/
22+23+
TO-263
8000
新到現(xiàn)貨，只做原裝進(jìn)口
 詢價(jià)
ST/意法
22+
TO-263-3
14100
原裝正品
 詢價(jià)
STMicroelectronics
18+
NA
3000
進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢(shì)供應(yīng)QQ3171516190
 詢價(jià)
ST/意法
2020+
NA
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-263-3
8800
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
ST/意法半導(dǎo)體
2020+
TO-263-3
7600
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個(gè)朋友
 詢價(jià)

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