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STB200N4F3中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STB200N4F3
廠商型號

STB200N4F3
功能描述

N-channel 40V - 0.0035廓 - 120A - D2PAK - TO-220 planar STripFET??Power MOSFET
文件大小

319.51 Kbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導體】

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-11 16:36:00
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STB200N4F3規(guī)格書詳情

Description

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size?” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility. this new improved device has been specifically designed for automotive applications.

Features

■ 100 avalanche tested

■ Standard threshold drive

Applications

■ Switching applications

– Automotive

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    STB200N4F3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch, 40V-0.0035ohms 120A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
23+
TO263
2520
原廠原裝正品
 詢價
ST/意法
2023+
D2PAK
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6200
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22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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