首頁>STB18N60M2>規(guī)格書詳情
STB18N60M2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
STB18N60M2規(guī)格書詳情
Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh? technology: MDmesh II Plus? low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
? Extremely low gate charge
? Lower RDS(on) x area vs previous generation
? Low gate input resistance
? 100 avalanche tested
? Zener-protected
Applications
? Switching applications
? LLC converters, resonant converters
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
STB18N60M2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 功能描述：
POWER MOSFET - Tape and Reel
- 功能描述：
MOSFET N-CH 600V D2PAK
- 功能描述：
STB18N60M2 Series 600 V 13 A 280 mOhm N-channel Power MOSFET - TO-263-3
- 功能描述：
N-channel 600 V, 0.255
- 功能描述：
N-channel 600 V, 0.255 ?X typ., 13 A MDmesh II Plus? low Qg Power MOSFET in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2023+ |
TO263 |
6893 |
專注全新正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2022+ |
TO-263-3 |
6900 |
原廠原裝,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
14100 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
STM |
TO263 |
899933 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
23+ |
D2PAK |
360000 |
交期準(zhǔn)時(shí)服務(wù)周到 |
詢價(jià) | ||
ST |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ST |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
D2PAK |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST |
22 |
TO263 |
25000 |
3月31原裝,微信報(bào)價(jià) |
詢價(jià) |
