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STB150N3LH6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STB150N3LH6
廠商型號(hào)

STB150N3LH6

功能描述

N-channel 30 V, 2.4 m??typ., 80 A, STripFET??VI DeepGATE?? Power MOSFET in D?PAK package

絲印標(biāo)識(shí)

150N3LH6

封裝外殼

D2PAK

文件大小

1.00361 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-19 22:59:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STB150N3LH6

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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