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STB13NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STB13NM60N |
| 功能描述 | Low gate input resistance |
| 文件大小 |
1.16058 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
24 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-10-22 22:30:00 |
STB13NM60N規(guī)格書詳情
Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
Features
? 100 avalanche tested
? Low input capacitance and gate charge
? Low gate input resistance
Applications
? Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB13NM60N
- 功能描述：
MOSFET POWER MOSFET N-CH
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價 | ||
VBsemi |
21+ |
TO263 |
10065 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST |
21+ |
TO263 |
1568 |
10年芯程,只做原裝正品現(xiàn)貨,歡迎加微信垂詢! |
詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
D2PAK |
8498 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
39 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價 | ||
ST |
21+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
公司只售原裝,支持實(shí)單 |
詢價 | ||
STMICRO |
2405+ |
原廠封裝 |
8900 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
TO-263-3 |
20000 |
原裝進(jìn)口正品 |
詢價 |
