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STB12NM50ND中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STB12NM50ND
廠商型號(hào)

STB12NM50ND
功能描述

N-channel 500 V, 0.29 廓, 11 A, FDmesh??II Power MOSFET (with fast diode), D2PAK, DPAK
文件大小

584.84 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-23 23:00:00

STB12NM50ND規(guī)格書(shū)詳情

Description

FDmesh? technology combines the MDmesh? features with an intrinsic fast-recovery body diode. The resulting product has reduced on resistance and fast switching commutations, making it especially suitable for bridge topologies where low trr is required.

■ 100 avalanche tested

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Application

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    STB12NM50ND

  • 功能描述：

    MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法)
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NA/
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