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ST50V10200

RF power LDMOS transistor for frequencies up to 1.5 GHz

Features ?Highefficiencyandlineargainoperations ?IntegratedESDprotection ?Largepositiveandnegativegate/sourcevoltagerange ?IncompliancewiththeEuropeanDirective2002/95/EC Description TheST50V10200isacommon-sourceN-channelenhancement-modelateralfieldeffect RF

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

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更多ST50V10200供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 10:53:00