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SSW/I2N80A	文件：264.76 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=800V ■LowRDS(ON):4.688Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
2N80	文件：170.28 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2N80	文件：235.68 Kbytes Page：6 Pages	2A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2N80	文件：68.07 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2.4A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2N80-C	文件：663.9 Kbytes Page：9 Pages	2.0A,800VNHANNELPOWERMOSFET ?DESCRIPTION TheUTC2N80-CprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge andoperationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor useasaloadswitchorinPWMapplications. ?FEATURES0 RDS(ON)≤5.6?@VGS=10V,ID=1.0A LowReverseTransferCapacitance *FastSwitchingCapab	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2N80G-TND-R	文件：263.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2N80L-TND-R	文件：263.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2N80Z	文件：235.72 Kbytes Page：6 Pages	2A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
2N80Z	文件：1.29132 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FIR2N80BPG	文件：3.5367 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR2N80FG	文件：2.08555 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR2N80LG	文件：3.5367 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FKPF2N80	文件：136.07 Kbytes Page：7 Pages	ApplicationExplanation(Switchingmodepowersupply,lightdimmer,electricflasherunit,hairdrier)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQB2N80	文件：659.15 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD2N80	文件：731.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD2N80	文件：639 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQD2N80	文件：305.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQD2N80D	文件：336.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·Drain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.3Ω@10V ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·HighfastswitchingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQD2N80I	文件：348.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·Drain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.3Ω@10V ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·HighfastswitchingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQD2N80TM	文件：731.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

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更多SSW/I2N80A供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 18:50:00

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