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SSRF4N60	文件：465 Kbytes Page：4 Pages	4A , 600 V , RDS(ON) 2.4 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSS4N60	文件：890.05 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSS4N60	文件：270.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSS4N60AS	文件：262.97 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET AdvancedPowerMOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25A(Max.)@VDS=600V LowerRDS(ON):2.037?(Typ.) W m	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSS4N60AS	文件：264.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSS4N60B	文件：890.05 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSS4N60B	文件：264.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSTP4N60	文件：1.09041 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSU4N60	文件：1.90689 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SSU4N60A	文件：346.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSU4N60B	文件：637.87 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSU4N60B	文件：1.90687 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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SSW4N60B	文件：642.56 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SVD4N60T	文件：1.09029 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SVF4N60CADTR	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAF	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAK	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAMJ	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF4N60CAMN	文件：411.7 Kbytes Page：12 Pages	4A,600VN-CHANNELMOSFET GENERALDESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJisanN-channelenhancementmode powerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilan proprietaryF-CellTMhigh-voltageplanarVDMOStechnology.The improvedprocessandcellstructurehavebeenespeciallytailoredto minimizeon-stateres	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
SSRF4N60
制造商：
SECOS
制造商全稱：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
4A , 600 V , RDS(ON) 2.4 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市能創(chuàng)芯電子科技有限公司	SSR-H220D50P	OMROM	23+	繼電器	3000	原裝正品假一罰百!可開增票!	詢價(jià)
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更多SSRF4N60供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 11:50:00

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