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SSR2N60BTM	文件：1.08809 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SSR2N60TM	文件：1.08809 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SSS2N60A	文件：267.23 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET AdvancedPowerMOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25mA(Max.)@VDS=600V LowerRDS(ON):3.892W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSS2N60A	文件：264.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSS2N60B	文件：856.96 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulseinth	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSS2N60B	文件：264.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSU2N60A	文件：267.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET AdvancedPowerMOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25mA(Max.)@VDS=600V LowerRDS(ON):3.892W(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSU2N60A	文件：346.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SSU2N60B	文件：644.85 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSW2N60A	文件：1.10297 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SSW2N60B	文件：647.12 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
SSW2N60B	文件：1.10291 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
STP2N60	文件：199.7 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=3.2? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS) ■CHOPPERREGULATORS,CONVERTERS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
STP2N60FI	文件：199.7 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=3.2? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS) ■CHOPPERREGULATORS,CONVERTERS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
SVD2N60T	文件：385.77 Kbytes Page：6 Pages	2A,600VNChannelMOSFET GENERALDESCRIPTION SVD2N60TisanN-channelenhancementmodepowerMOSfieldeffecttransistorwhichisproducedusingSilanproprietarySRin?structureDMOStechnology.Theimprovedplanarstripecellandtheimprovedguardingringterminalhavebeenespeciallytailoredtomini	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司	SILAN
SVF2N60D	文件：1.7999 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SVF2N60D	文件：1.08793 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SW2N60	文件：510.09 Kbytes Page：6 Pages	ThispowerMOSFETisproducedinCHMCwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
SW2N60	文件：724.69 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-251,TO-252) GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SW2N60	文件：752.89 Kbytes Page：7 Pages	N-channelMOSFET(TO-220F,TO-220) GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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詳細參數(shù)

型號：
SSR2N60BTM
功能描述：
MOSFET N-Ch/600V/1.8a/5Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	SSR2N60BTM	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-252	2500	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SSR2N60BTM	FAIRCHILD	2016+	TO-252	6528	房間原裝進口現(xiàn)貨假一賠十	詢價
深圳市卓越微芯電子有限公司	SSR2N60BTM	FAIRCHI	2020+	TO-252	750	百分百原裝正品真實公司現(xiàn)貨庫存本公司只做原裝可	詢價
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更多SSR2N60BTM供應(yīng)商更新時間2025-1-5 16:36:00

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