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SSR1N60BTM_WS

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SSRU1N60A

AdvancedPowerMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSS1N60A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SSS1N60B

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSS1N60B

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SSU1N60A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SSU1N60B

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSU1N60B

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SSW1N60A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25mA(Max.)@VDS=600V LowRDS(ON):9.390?(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

SSW1N60A

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SSW1N60B

600VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

ST1N60

POWERMOSFET

SUNTAC

Suntac Electronic Corp.

STD1N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SVF1N60AD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SVF1N60BD

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SVF1N60D

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD

杜因特深圳市杜因特半導體有限公司

SVF1N60D

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SW1N60

N-channelMOSFET

GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

SW1N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SW1N60A

N-channelMOSFET

GeneralDescription ThispowerMOSFETisproducedwithadvancedVDMOStechnologyofSAMWIN.ThistechnologyenablepowerMOSFETtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandespeciallyexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETi

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    SSR1N60BTM_WS

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 0.9A 12Ohm N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
三年內
1983
只做原裝正品
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23+
原包裝原封 □□
2350
原裝進口特價供應 QQ 1304306553 更多詳細咨詢 庫存
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1809+
TO-252
3675
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F
23+
TO-252
10000
公司只做原裝正品
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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FAIRCHILD/仙童
21+
TO-252
10000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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Fairchild/ON
22+
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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FAIRCHILD/仙童
2022
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80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片
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更多SSR1N60BTM_WS供應商 更新時間2025-1-5 15:08:00

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