零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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SSP5N60 | N-Channel 650 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | |
Advanced Power MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel 650 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
AdvancedPowerMOSFET BVDSS=600V RDS(on)=2.2Ω ID=2.6A FEATURES LogicLevelGateDrive AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=600V LowerRDS( | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channelenhancementmodepowermostransistor N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.33? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS) | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | STMICROELECTRONICS | ||
N-Channelenhancementmodepowermostransistor N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=1.33? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■SWITCHMODEPOWERSUPPLIES(SMPS) | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團 | STMICROELECTRONICS | ||
5A,600VNCHANNELMOSFET | SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司 | SILAN | ||
5A,600VNCHANNELMOSFET | SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士蘭微杭州士蘭微電子股份有限公司 | SILAN | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司 | VBSEMI | ||
N-channelTO-220FMOSFET | SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司 | SEMIPOWER | ||
N-channelEnhancedmodeTO-220F/TO-220SFMOSFET | SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司 | SEMIPOWER | ||
N-channelTO-220FMOSFET | SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司 | SEMIPOWER | ||
N-ChannelPowerMOSFET4.5A,600V,2.4廓 | TAK_CHEONGTak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 德昌電子德昌電子(集團)有限公司 | TAK_CHEONG |
詳細參數(shù)
- 型號:
SSP5N60
- 功能描述:
MOSFET TO-220
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO 220 |
155963 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FSC |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 | ||
FSC |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
ZETEX |
23+ |
TO-252 |
69820 |
終端可以免費供樣,支持BOM配單! |
詢價 | ||
仙童 |
24+ |
TO-220 |
6430 |
原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
TO-220 |
12888 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
F |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
3000 |
詢價 |
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