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SSM6N7002KFULXG中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SSM6N7002KFULXG
廠商型號

SSM6N7002KFULXG

功能描述

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

絲印標識

NN

封裝外殼

US6

文件大小

237.48 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-19 17:10:00

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SSM6N7002KFULXG規(guī)格書詳情

1. Applications

? High-Speed Switching

2. Features

(1) AEC-Q101 qualified (Please see the orderable part number list)

(2) Low drain-source on-resistance

: RDS(ON) = 1.05 Ω (typ.) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1.15 Ω (typ.) (@VGS = 5.0 V)

RDS(ON) = 1.2 Ω (typ.) (@VGS = 4.5 V)

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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