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SSM6L39TU

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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FEATURES ?Low-profilepackage ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C ?Junctionpassivationoptimizeddesign passivatedanisotropicrectifiertechnology ?TJ=185°Ccapabilitysuitableforhighreliabilityand automotiverequirement ?Unidirectionalonly ?Excell

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更多SSM6L39TU,LF供應商 更新時間2025-1-14 8:24:00