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SSM6J512NU_V01	文件：441.39 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETs Silicon P-Channel MOS 1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=24.0mΩ(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=18.3mΩ(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=14.3mΩ(typ.)(@VGS=-4.5V)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

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MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1.Applications ?PowerManagementSwitches 2.Features (1)1.8Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=24.0mΩ(typ.)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=18.3mΩ(typ.)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=14.3mΩ(typ.)(@VGS=-4.5V)

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更多SSM6J512NU_V01供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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