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SSM3K329R

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SSM3K329R

MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications ?PowerManagementSwitches ?High-SpeedSwitching Features (1)1.8-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=289mΩ(max)(@VGS=1.8V) RDS(ON)=170mΩ(max)(@VGS=2.5V) RDS(ON)=126mΩ(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K329R

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3K329R

Field-EffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType

○PowerManagementSwitchApplications ○High-SpeedSwitchingApplications ?1.8-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=289m?(max)(@VGS=1.8V) :RDS(ON)=170m?(max)(@VGS=2.5V) :RDS(ON)=126m?(max)(@VGS=4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SSM3K329R,LF

  • 功能描述：

    MOSFET SM Sig N-CH MOS 30V 3.5A 12V VGSS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
TOSHIBA/東芝
21+
SOT-23
9800
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!
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TOSHIBA(東芝)
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SOT-23F
105000
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TOSHIBA(東芝)
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20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
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TOSHIBA/東芝
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SOT-23F
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全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成
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TOSHIBA/東芝
2022+
SOT-23F
7600
原廠原裝,假一罰十
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SOT-23F
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公司只售原裝,支持實單
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TOSHIBA/東芝
SOT-23F
6000
只做原裝正品,賣元器件不賺錢交個朋友
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TOSHIBA/東芝
23+
SOT-23F
8080
原裝正品，支持實單
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TOSHIBA
21+
N/A
2500
進口原裝,優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
更多SSM3K329R,LF供應商 更新時間2025-1-13 18:07:00

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