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P?CHANNELMOSFET FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON) | EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體 | EVVOSEMI | ||
P?CHANNELMOSFET FEATURES VDS(V)=-30V RDS(ON)46m(VGS=-10V) RDS(ON)54m(VGS=-4.5V) APPLICATIONS ForMobileComputing LoadSwitch NotebookAdaptorSwitch DC/DCConverter | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司 | UMW | ||
TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSVI) ○PowerManagementSwitchApplications ?1.8-Vdrive ?LowON-resistance:RDS(ON)=144mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=72.0mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=50.0mΩ(max)(@VGS=-4.5V) RDS(ON)=42.0mΩ(max)(@VGS=-10V) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
P-Channel30V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司 | VBSEMI | ||
BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
PowerManagementSwitchApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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