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SSM3J331R_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications ?PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vgatedrivevoltage. (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=150mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=100mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=75mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=55mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

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更多SSM3J331R_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-15 14:16:00

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