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SSM3J327R_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications ?PowerManagementSwitches Features (1)1.5-Vdrive (2)Lowdrain-sourceon-resistance :RDS(ON)=240mΩ(max)(@VGS=-1.5V) RDS(ON)=168mΩ(max)(@VGS=-1.8V) RDS(ON)=123mΩ(max)(@VGS=-2.5V) RDS(ON)=93mΩ(max)(@VGS=-4.5V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

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更多SSM3J327R_V01供應商 更新時間2024-10-25 10:23:00