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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

SSM3J113TU

FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSTypeHighSpeedSwitchingApplications

HighSpeedSwitchingApplications ?2.0Vdrive ?Lowon-resistance:Ron=449m?(max)(@VGS=?2.0V) Ron=249m?(max)(@VGS=?2.5V) Ron=169m?(max)(@VGS=?4.0V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
TOSHIBA/東芝
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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TOSHIBA/東芝
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TOSHIBA/東芝
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原裝正品大量現(xiàn)貨,要多可發(fā)貨,實(shí)單帶接受價(jià)來談!
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200000
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原裝
56200
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價(jià)
更多SSM3J113TUMOS()供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 13:37:00

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