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SSE50N10-C	文件：388.79 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BR50N10	文件：866.59 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220PlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
CEB50N10	文件：430.82 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,50A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB50N10	文件：642.37 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,50A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N10	文件：642.37 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,50A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N10	文件：430.82 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,50A,RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
EMB50N10A	文件：231.19 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50N10G	文件：183.2 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)50mΩ ID7A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB50N10S	文件：191.1 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)50mΩ ID8A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FLX50N10	文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltagePowerSupplies	TDKTDK Corporation TDK株式會(huì)社東電化（中國(guó)）投資有限公司	TDK
HM50N10K	文件：629.03 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
LG50N10	文件：947.72 Kbytes Page：5 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
LMAK50N10	文件：1.66821 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
MSAEZ50N10A	文件：48.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSAFZ50N10A	文件：48.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features ?Ultrafastrectifierinparallelwiththebodydiode(MSAEtypeonly) ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?IncreasedUnclampedInductiveSwitching(UIS)capability ?Hermeticallysealed,surfacemountpowerpackage ?Lowpackageinductance ?Verylowthermalresistance ?Rev	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MSD50N10	文件：271.03 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MTE50N10BFP	文件：447.75 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTE50N10FP	文件：303.9 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
PJD50N10	文件：378.86 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
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更多SSE50N10-C供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-13 16:05:00

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