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SS8550DBU

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個 描述：TRANS PNP 25V 1.5A TO92-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

SS8550DTA

FAIRCHILDSmallSignalTransistors

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SS8550-H

PNPTransistors

PNPTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=-1.5A

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

SS8550-J

PNPTransistors

PNPTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=-1.5A

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

SS8550-L

PNPTransistors

PNPTransistors Features ●CollectorCurrent:IC=-1.5A

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

SS8550T

PNPSiliconGeneralPurposeTransistor

Powerdissipation PCM:1W CollectorCurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55℃~+150℃

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SS8550-TA

Plastic-EncapsulateTransistors

FS

First Silicon Co., Ltd

SS8550W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司

SS8550W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司

SS8550W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

DSK

Diode Semiconductor Korea

SS8550W

PNPSiliconGeneralPurposeTransistor

Powerdissipation PCM:0.2W CollectorCurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage FEATURES V(BR)CBO:-40V Operating&storagejunctiontemperature Tj,Tstg:-55℃~+150℃

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

SS8550W

SiliconEpitaxialPlanarTransistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=1.5A） ●ComplementaryToSS8550W. ●CollectorDissipation:PC=0.2W(TC=25°C) APPLICATIONS ●HighCollectorCurrent.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

世紀微電子常州銀河世紀微電子股份有限公司

ST8550

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications.Especially suitableforAF-driverstagesandlowpoweroutput stages. ThetransistorissubdividedintotwogroupsCand DaccordingtoitsDCcurrentgain.

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司

ST8550B

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

ST8550C

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

ST8550D

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

ST8550E

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

STA8550N

PNPSiliconTransistor

Descriptions ?Highcurrentapplication ?RadioinclassBpush-pulloperation Feature ?ComplementarypairwithSTC8050N

AUK

AUK corp

STA8550SF

PNPSiliconTransistor

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團

STA8550SF

PNPSiliconTransistor

Descriptions ?Highcurrentapplication ?RadioinclassBpush-pulloperation Feature ?ComplementarypairwithSTC8050SF

AUK

AUK corp

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SS8550DBU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 80mA，800mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    160 @ 100mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    200MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-92-3

  • 描述：

    TRANS PNP 25V 1.5A TO92-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
TO-92-3
1612
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
FAIRCHILD
2020+
TO92
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
FSC
23+
TO92
56000
詢價
ON
21+
SOT23
50000
詢價
onsemi(安森美)
22+
TO-92-3
200
QQ詢價 絕對原裝正品
 詢價
FAIRCHILD
2016+
TO-92
3500
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
FSC
24+
TO-92
2439
詢價
2017+
TO92
6528
只做原裝正品假一賠十!
 詢價
ONSemiconductor
18+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
 詢價
三年內(nèi)
1983
納立只做原裝正品13590203865
 詢價
更多SS8550DBU供應(yīng)商 更新時間2024-10-25 13:51:00

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