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SS14T	文件：1.13685 Mbytes Page：3 Pages	1.0AMP. Low VF Schottky Barrier Rectifiers Features Electrostaticdischarge(ESD)testunderIEC6100-4-2 standard>16ΚV(SS12AL~SS16AL). standard>10ΚV(SS110AL~SS120AL). Lowprofilesurfacemountedapplicationinorderto optimizeboardspace. Lowpowerloss,highefficiency. Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop. Ultra	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司	LUGUANG
SS14T3	文件：63.45 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SMAPowerSurfaceMountPackage ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：58.16 Kbytes Page：4 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N?ChannelSOT?23 Features ?Pb?FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：64.31 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Description TheSS12?S100seriesincludeshigh?efficiency,lowpowerloss,general?proposeschottkyrectifiers.Theclip?bondedlegstructureprovideshighthermalperformanceandlowelectricalresistance.Theserectifiersaresuitedforfreewheeling,secondaryrectification,andreversepolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：115.51 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts PowerMOSFET170mAmps,100Volts N?ChannelSOT?23 Features ?Pb?FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3G	文件：63.45 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SurfaceMountSchottkyPowerRectifier SMAPowerSurfaceMountPackage ThesedevicesemploytheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal?to?siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedfor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3G	文件：64.31 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Description TheSS12?S100seriesincludeshigh?efficiency,lowpowerloss,general?proposeschottkyrectifiers.Theclip?bondedlegstructureprovideshighthermalperformanceandlowelectricalresistance.Theserectifiersaresuitedforfreewheeling,secondaryrectification,andreversepolar	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：69.19 Kbytes Page：5 Pages	PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：63.31 Kbytes Page：6 Pages	12 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：102.7 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：100 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：106.56 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：86.37 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 1 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：88.79 Kbytes Page：6 Pages	12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：133.48 Kbytes Page：5 Pages	NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：106.39 Kbytes Page：5 Pages	PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：88.25 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 7.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：132.34 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 4.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：102.78 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 6.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
SS14T3	文件：60.62 Kbytes Page：5 Pages	12 V, 8.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI

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詳細參數(shù)

型號：
SS14T
功能描述：
DIODE SCHOTTKY POWER 1A 40V SMA
RoHS：
否
類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器
系列：
-
標準包裝：
100
二極管類型：
標準電壓
-(Vr)（最大）：
50V 電流 -
平均整流(Io)：
6A 電壓 - 在 If
時為正向(Vf)（最大）：
1.4V @ 6A
速度：
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
反向恢復(fù)時間(trr)：
300ns 電流 - 在 Vr
時反向漏電：
15µA @ 50V 電容@ Vr,
F：
-
安裝類型：
底座，接線柱安裝
封裝/外殼：
DO-203AA，DO-4，接線柱
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
DO-203AA
包裝：
散裝
其它名稱：
*1N3879

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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