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SPB03N60S5	文件：552.73 Kbytes Page：12 Pages	HighPowerFactorLEDReplacementT8FluorescentTube Introduction ThisapplicationnotedescribestheprinciplesanddesignequationsrequiredforthedesignofahighbrightnessLEDlampusingtheAL9910.Theequationsarethenusedtodemonstratethedesignofauniversal,offline,highpowerfactor(PF),13WLEDlampsuitableforuseasthere	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SPB03N60S5	文件：226.97 Kbytes Page：8 Pages	PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SPB03N60S5	文件：1.10328 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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詳細參數(shù)

型號：
SPU03N60S5
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多SPU03N60S5供應商更新時間2025-1-2 15:08:00

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