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SPU03N60C3	文件：290.73 Kbytes Page：12 Pages	Cool MOS Power Transistor CoolMOS?PowerTransistor Features ?Newrevolutioanaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplaing;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDECfortar	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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SPB03N60C3	文件：2.19253 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SPU03N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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更多SPU03N60C3供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-2 15:20:00

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