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SPD50N03S2

N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPD50N03S2-07

OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2-07

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2-07

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

SPD50N03S2-07_08

OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2-07G

OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2-07G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

SPD50N03S2L

N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2L_08

N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2L-06

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2L-06

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

SPD50N03S2L-06G

N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD50N03S2L-06G

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SPD50N03S2

  • 功能描述:

    MOSFET TRANSISTOR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SPD50N03S2供應商 更新時間2024-11-16 8:30:00