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SPD02N60

SIPMO Power Transistor

SIPMOS?PowerTransistor ?N-Channel ?Enhancementmode ?Avalancherated

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

SPD02N60C3

Cool MOS Power Transistor

CoolMOS?PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N60C3

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Ultraloweffectivecapacitance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤3? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD02N60C3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

SPD02N60S5

Cool MOS??Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Ultraloweffectivecapacitances ?Improvedtransconductance ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC0)fortargetapp

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N60S5

N-Channel MOSFET Transistor

?DESCRITION ?Ultraloweffectivecapacitance ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤3? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SPD02N60C3

Cool MOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N60C3

Cool MOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N60C3_05

Cool MOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPD02N60C3_08

Cool MOS Power Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SPD02N6

  • 功能描述：

    MOSFET COOL MOS PWR TRANS 650V 1.8A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON
16+/17+
TO-252
3500
原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)56
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
SOT-252
17298
原裝進口假一罰十
 詢價
INFINEON
21+
TO252
1650
詢價
INFINEON
23+
TO252
6996
只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
INFINEON/英飛凌
24+
TO252-3
20000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
N/A
12000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
INFINEON/英飛凌
2021+
TO-252
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
 詢價
Infineon(英飛凌)
23+
TO-252
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
 詢價
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng)
 詢價
INFINEON
24+
TO-252
45000
詢價
更多SPD02N6供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 13:38:00

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