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SPB80N06S2L-11

OptiMOS Power-Transistor

·N-Channel ·Enhancementmode ·LogicLevel ·Avalancherated ·dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S-08

SIPMOS? Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S-08

SIPMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S-08

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SPB80N06S-08_05

SIPMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S2-05

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S2-07

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S2-07

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

SPB80N06S2-08

OptiMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPB80N06S2-08

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SPB80N06S

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
INFINEON/英飛凌
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SOT263
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十年以上分銷商原裝進(jìn)口件服務(wù)型企業(yè)0755-83790645
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P-TO263-3
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更多SPB80N06S供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 10:16:00