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SPB80N03S2L-05中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
SPB80N03S2L-05 |
| 功能描述 | OptiMOS Power-Transistor |
| 文件大小 |
413.11 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-12 10:12:00 |
| 人工找貨 | SPB80N03S2L-05價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SPB80N03S2L-05規(guī)格書詳情
OptiMOS? Power-Transistor
Feature
? N-Channel
? Enhancement mode
? Logic Level
? Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
? Superior thermal resistance
? 175°C operating temperature
? Avalanche rated
? dv/dt rated
產(chǎn)品屬性
- 型號：
SPB80N03S2L-05
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- RoHS：
否
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
OptiMOS™
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
NA/ |
9230 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價(jià) | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
SOT-263 |
12888 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
TO263-3-2 |
9852 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十! |
詢價(jià) | ||
INENOI |
24+ |
SOT263 |
24110 |
詢價(jià) | |||
INFINEON |
24+ |
P-TO263-3-2 |
8866 |
詢價(jià) | |||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SOT263 |
9000 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
21+ |
SOT263 |
5000 |
原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
P-TO263-3-2 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) |
