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SPB11N60C3	文件：189.57 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor ?FEATURES ?WithTo-263(D2PAK)package ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPB11N60C3	文件：1.04045 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies ?Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPB11N60C3	文件：352.75 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS??Power Transistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPB11N60C3	文件：193.21 Kbytes Page：14 Pages	Cool MOS Power Transistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?150°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPB11N60C3	文件：475.58 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPB11N60C3_07	文件：475.58 Kbytes Page：13 Pages	Cool MOS Power Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPBI11N60C3	文件：193.21 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?150°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60C3	文件：331.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPI11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60C3	文件：662.11 Kbytes Page：15 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60C3	文件：352.75 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPI11N60C3	文件：193.21 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?150°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60C3	文件：352.75 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOS??PowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60C3	文件：193.21 Kbytes Page：14 Pages	CoolMOSPowerTransistor Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?150°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60C3	文件：662.11 Kbytes Page：15 Pages	CoolMOS??PowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60C3	文件：659.64 Kbytes Page：16 Pages	CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
SPP11N60C3	文件：1.03545 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS)	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
SPP11N60C3	文件：339.13 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?Improvedtransconductance ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perform	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPW11N60C3	文件：335.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤380m? ?Enhancementmode: ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
SPW11N60C3	文件：796.06 Kbytes Page：13 Pages	COOLMOSPOWERTRANSISTOR	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SPB11N60C3
功能描述：
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市英科美電子有限公司	SPB11N60C3	INFINEON/英飛凌	2021+	SOT-263	17389	原裝進(jìn)口假一罰十	詢價(jià)
深圳市昂芯微科技有限公司	SPB11N60C3	INFINEON	23+	TO263	6996	只做原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SPB11N60C3	Infineon(英飛凌)	23+	N/A	12000	一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	SPB11N60C3	INFINEON/英飛凌	22+	TO-263-3-2	9800	只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨!	詢價(jià)
深圳市云美電子科技有限公司	SPB11N60C3	INFINEON	22+	原封裝	81220	只做原裝進(jìn)口貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SPB11N60C3	英飛翎	17+	D2PAK(TO-263)	31518	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市金嘉銳電子有限公司	SPB11N60C3	Infineon	2024+	TO-263-3	32560	原裝優(yōu)勢絕對有貨	詢價(jià)
深圳市高捷芯城科技有限公司	SPB11N60C3	Infineon(英飛凌)	23+	TO263	13048	原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div>	詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	SPB11N60C3	Infineon(英飛凌)	23+	TO263	17316	正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊	詢價(jià)
深圳市東來寶電子科技有限公司	SPB11N60C3	INFINEON	24+	原封裝	81220	鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)

更多SPB11N60C3供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-14 10:23:00

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