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SPB04N60C3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SPB04N60C3
廠商型號

SPB04N60C3

功能描述

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件大小

1.10925 Mbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

VBSEMI微碧半導(dǎo)體

中文名稱

微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-28 23:00:00

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SPB04N60C3規(guī)格書詳情

FEATURES

? Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

? Low input capacitance (Ciss)

? Reduced switching and conduction losses

? Ultra low gate charge (Qg)

? Avalanche energy rated (UIS)

APPLICATIONS

? Server and telecom power supplies

? Switch mode power supplies (SMPS)

? Power factor correction power supplies (PFC)

? Lighting

- High-intensity discharge (HID)

- Fluorescent ballast lighting

? Industrial

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SPB04N60C3

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 4.5A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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