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SM662GBE-BDST_集成電路（IC） 存儲器-Silicon Motion, Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    SM662GBE-BDST

  • 制造商：

    Silicon Motion, Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    100-LBGA

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-11-16 15:38:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：SM662GBE-BDST品牌：Silicon Motion, Inc.

資料說明：FERRI-EMMC 3D 256GB TLC 100BGA

SM662GBE-BDST是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Silicon Motion, Inc.生產(chǎn)封裝100-LBGA的SM662GBE-BDST存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    sm662gbe-bdst

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    FERRI-EMMC 3D 256GB TLC 100BGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    SM662GBE-BDST

  • 制造商：

    Silicon Motion, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    Ferri-eMMC?

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（TLC）

  • 存儲容量：

    2Tb（256G x 8）

  • 存儲器接口：

    eMMC

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-BGA（14x18）

  • 描述：

    FERRI-EMMC 3D 256GB TLC 100BGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Silicon Motion Inc
23+/24+
100-LBGA
8600
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
 詢價
Silicon Motion Inc.
24+
100-LBGA
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價
24+
N/A
46000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇
 詢價
Silicon Motion, Inc.
23+
100-LBGA
3500
只做原裝,假一賠十
 詢價
慧榮
22+
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500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
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Silicon
21+
25000
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